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高純氣路輸送管路如何避免微粒污染

發布時間:2017-12-03 10:19:05      發布人:大連派德  瀏覽量:475

     隨著微電子工業的發展,超大規模集成電路制造的硅片尺寸越做越大,要求半導體制造工藝中的氣體品質相應越來越高,對氣體中雜質和露點要求極為嚴格,需要達到ppb、ppt級,塵埃粒徑求控制小于0.1~0.05m的微粒,因此對高純氣體的輸送管路系統提出了非常高的要求 。那么高純氣路輸送管路如何避免微粒污染,下面高純氣體管道工程就來為大家進行介紹。
    工藝氣體中的雜質( 02、H202、 C02、 C0,等),由于在半導體制造工藝中形成氧化膜而導致質量下降。而氣體中含有的微粒,幾乎在半導體制造的整個過程中都有影響。在熱處理工序中,堿金屬微粒使氧化膜和硅的界面特性產生異常,引起耐壓性差或電氣特性劣化 。
    另外,在高溫處理中,重金屬微粒向硅的內部侵入擴散,誘發結晶缺陷,是導致半導體器件特性裂化的原因。另外,在腐蝕工序中,微粒附著在硅片上,是導致接觸部分和周圍的腐蝕加工精度降低 的原因。因此高純氣體中含塵量比其純度在一定意義上顯得更為重要,控制微粒污染成為高純氣體輸送管路的一個核心 內容。微粒污染源來自兩個方面:一 是粘附
在管壁上的微粒 ,二是因磨損或腐蝕 等原因管壁產生的微粒。
    在配管系統上應分段設置過濾器來去除微粒,通常應采用兩級以上的氣體過濾。在潔凈廠房內一般設置預過濾器和高精度末端氣體過濾器,預過濾器是設在潔凈廠房的氣體入口室的氣體干管上,對氣體進行預過濾,以減輕末端氣體過濾器的負擔,并延長其使用壽命,高精度末端氣體過濾器應設在鄰近用氣點處。
    在系統設計中,應充分考慮系統末端的放散管,各主管和支干管末端的吹掃閥及必要的取樣口,為運行前的吹掃、置換和維修帶來方便,系統中應減少不流動氣體的“死空間”,不應出現“盲管”等不易吹除的死角,以避免微粒的積聚。


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